Samsung AI აგენტებისთვის პასუხების სიჩქარის მკვეთრად გაზრდას ახალი ტიპის მეხსიერების არქიტექტურით ცდილობს. კომპანია zHBM-ს ავითარებს, რომლის მთავარი იდეა HBM-ის AI ამაჩქარებელზე პირდაპირ, ვერტიკალურად განთავსებაა. Samsung-ის განცხადებით, ამ მიდგომამ HBM5-თან შედარებით შესაძლოა წარმადობა 8-ჯერ გაზარდოს და ენერგოეფექტიანობა 3-ჯერ გააუმჯობესოს.
Samsung-ის Memory Product Planning-ის ხელმძღვანელმა კიმ ინდონგმა ეს ხედვა 16 სექტემბერს, სანტა-კლარაში გამართულ AI Infrastructure Summit-ზე წარადგინა. მისი თქმით, დღევანდელი სასაუბრო AI სისტემები თითო მომხმარებელზე დაახლოებით 100 ტოკენს წამში ამუშავებენ, ხოლო აგენტური AI-ის ეპოქისთვის კომპანია ამ მაჩვენებლის 1000 ტოკენამდე გაზრდას ისახავს მიზნად.
ამისთვის Samsung ტრადიციულ 2.5D მიდგომას სცილდება. დღეს HBM და AI ამაჩქარებელი ერთმანეთის გვერდით, ინტერპოზერზეა განთავსებული, რის გამოც მონაცემებს ჩიპებს შორის შედარებით გრძელი გზის გავლა უწევს. zHBM-ში კი მეხსიერების სტეკი უშუალოდ ამაჩქარებლის ზემოთ მოთავსდება, ანუ კომპონენტები ვერტიკალურად, 3D სტრუქტურაში განლაგდება.
Samsung ამ ცვლილებას სასტუმროს ლიფტს ადარებს: თუ მონაცემებისთვის ოთახიდან ლობიმდე პირდაპირი ლიფტი არსებობს, მათ აღარ უწევთ გრძელი მარშრუტის გავლა. კომპანიის გათვლით, სწორედ მონაცემთა გზის შემცირება უნდა დაეხმაროს AI სისტემებს წარმადობისა და ენერგოეფექტიანობის გაუმჯობესებაში.
თუმცა 3D განლაგებას ახალი პრობლემა ახლავს: სითბო. ამაჩქარებლისა და მეხსიერების ერთმანეთზე დაწყობა გაგრილებას ართულებს, ამიტომ Samsung ამბობს, რომ თერმულ საკითხებზე AI ამაჩქარებლების მწარმოებლებთან მუშაობას ჩიპის დიზაინის ადრეული ეტაპიდან გეგმავს.
zHBM Samsung-ის უფრო ფართო HBM სტრატეგიის ნაწილია. სექტემბრის დასაწყისში Hot Chips 2026-ზე კომპანიამ HBM-ის სამეტაპიანი განვითარების გეგმაც წარმოადგინა, რომელიც საბოლოოდ ლოგიკური კომპონენტებისა და გამოთვლითი შესაძლებლობების მეხსიერებასთან კიდევ უფრო მჭიდრო ინტეგრაციას ითვალისწინებს. ამ გზის საბოლოო ეტაპად zHBM განიხილება, სადაც DRAM უშუალოდ პროცესორის ზემოთ განთავსდება.
Samsung-ის გეგმები მხოლოდ HBM-ით არ შემოიფარგლება. კომპანიამ zNAND-O-ს გზამკვლევიც წარადგინა, რომელიც NAND-ზე დაფუძნებულ 3D საცავს გულისხმობს და მოწყობილობებზე AI მოდელების გაშვებისთვის არის გათვლილი. Samsung-ის შეფასებით, 2030 წლისთვის ტრილიონპარამეტრიანი მოდელების AI სამუშაო სადგურებზე გაშვება შეიძლება ჩვეულებრივ პრაქტიკად იქცეს. ასეთი მოცულობის მოდელების მხოლოდ DRAM-ით მოთავსება ძალიან ძვირი იქნება, ხოლო zNAND-O-ს გამოყენებით ღირებულება, კომპანიის თქმით, დაახლოებით მეექვსედამდე შემცირდება. მისი სრული მასშტაბის ნიმუშების კლიენტებისთვის მიწოდება 2028 წლიდან არის დაგეგმილი.
ამ ეტაპზე zHBM კონკრეტული კომერციული პროდუქტის გამოშვების განცხადება არ არის. Samsung მას ტექნოლოგიურ მიმართულებად და AI ინფრასტრუქტურის მომავალი თაობისთვის ხედვად წარმოადგენს. მთავარი იდეა კი ნათელია: აგენტური AI-ის დაჩქარებისთვის ბრძოლა მხოლოდ უფრო სწრაფ პროცესორებზე აღარ გადის, რადგან მონაცემების მოძრაობა და მეხსიერების ენერგომოხმარება სულ უფრო მნიშვნელოვანი შეზღუდვა ხდება.
წყარო: Asia Business Daily – Samsung zHBM AI Infra Summit, Tom's Hardware – Hot Chips 2026 Samsung HBM/zHBM r, Digital Today EN – Samsung bets on zHBM
